MOS ICs & Technology for Android APK
| Tipo de archivo | APK |
|---|---|
| Versión | 5.3 |
| Editor | Two Minds Technology |
| Fecha de lanzamiento | 11 may 2017 |
| Fecha Agregada | 11 may 2017 |
| Requisitos del sistema operativo | Android |
| Requisitos | None |
| Descargas totales | 0 |
| Precio | Free |
Descripción
Notas sobre MOS IC (circuito integrado) y tecnología para un aprendizaje fácil y rápido. Esta aplicación es en realidad un manual GRATUITO, que cubre todos los temas del tema. Puede considerar esta aplicación como una guía con la que los profesores se guían en el aula.
Usted puede muy fácilmente aprobar y tener éxito en sus exámenes y entrevistas si tiene esta aplicación en su teléfono móvil y dar una visión general durante unos días.
Cubre 114 temas de Mos ICs and Technology en detalle. Estos 114 temas se dividen en 8 unidades
Algunos de los temas cubiertos en esta aplicación son:
1. Ley de Moore.
2. Comparación de tecnologías disponibles
3. Transistores MOS básicos
4. Modo de mejora Acción del transistor:
5. Fabricación de NMOS:
6. Fabricación de CMOS - PROCESO P-WELL
7. PROCESO de fabricación CMOS-N-WELL:
8. Proceso de fabricación CMOS-Twin-tub
9. Tecnología Bi-CMOS: - (CMOS bipolar):
10. Producción de máscaras de haz de electrones
11. Introducción al transistor MOS
12. Relación entre Vgs e Ids, para un Vds fijo
13. Ecuaciones MOS (ecuaciones DC básicas):
14. Efectos de segundo orden
15. CARACTERÍSTICAS DEL INVERSOR CMOS
16. Características de CC del inversor
17. Derivación gráfica de las características de CC del inversor
18. Margen de ruido
19. Inversores MOS de carga estática
20. Puertas de transmisión
21. Inversor triestado
22. Diagramas de barras: codificaciones para el proceso NMOS
23. Codificaciones para proceso CMOS
24. Codificación para BJT y MOSFET
25. Estilo de diseño NMOS y CMOS
26. Reglas de diseño
27. Vía
28. Reglas de diseño basadas en CMOS lambda
29. Proceso CMOS de órbita 2um
30. Estimación de resistencias.
31. Resistencia de lámina de transistores mos
32. Estimación de capacitancia
33. Retraso
34. Retrasos del inversor
35. Estimación formal de la demora
36. Conducción de gran carga capacitiva
37. Valor óptimo de f
38. Súper tampón
39. Conductores de Bicmos
40. Retraso de propagación
41. Otras fuentes de capacitancia
42. Elección de capas
43. Escalado de la mayoría de los dispositivos
44. Diseño físico básico una descripción general
45. Diseño físico básico una descripción general
46. Esquema y diseño de puertas básicas-Puerta Inverter
47. Esquema y diseño de puertas básicas-NAND y NOR Gate
48. Puerta de transmisión
49. Diseño de celda estándar CMOS
50. Optimización del diseño para el rendimiento
51. Pautas generales de diseño
52. Lógica BICMOS
53. Lógica pseudonmos
54. Otras variaciones de pseudo nmos: lógica de drenaje múltiple y lógica agrupada
55. Otras variaciones de pseudo nmos- Lógica dinámica de cmos
56. Otras variaciones de pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. Lógica dominó CMOS