Saltar al contenido
MI

MOS ICs & Technology for Android APK

Editor: Two Minds Technology
Android APK Free
Descargar v5.3 0 descargas
Tipo de archivoAPK
Versión5.3
Editor Two Minds Technology
Fecha de lanzamiento11 may 2017
Fecha Agregada11 may 2017
Requisitos del sistema operativoAndroid
RequisitosNone
Descargas totales0
PrecioFree

Descripción

Notas sobre MOS IC (circuito integrado) y tecnología para un aprendizaje fácil y rápido. Esta aplicación es en realidad un manual GRATUITO, que cubre todos los temas del tema. Puede considerar esta aplicación como una guía con la que los profesores se guían en el aula.

Usted puede muy fácilmente aprobar y tener éxito en sus exámenes y entrevistas si tiene esta aplicación en su teléfono móvil y dar una visión general durante unos días.

Cubre 114 temas de Mos ICs and Technology en detalle. Estos 114 temas se dividen en 8 unidades

Algunos de los temas cubiertos en esta aplicación son:

1. Ley de Moore.

2. Comparación de tecnologías disponibles

3. Transistores MOS básicos

4. Modo de mejora Acción del transistor:

5. Fabricación de NMOS:

6. Fabricación de CMOS - PROCESO P-WELL

7. PROCESO de fabricación CMOS-N-WELL:

8. Proceso de fabricación CMOS-Twin-tub

9. Tecnología Bi-CMOS: - (CMOS bipolar):

10. Producción de máscaras de haz de electrones

11. Introducción al transistor MOS

12. Relación entre Vgs e Ids, para un Vds fijo

13. Ecuaciones MOS (ecuaciones DC básicas):

14. Efectos de segundo orden

15. CARACTERÍSTICAS DEL INVERSOR CMOS

16. Características de CC del inversor

17. Derivación gráfica de las características de CC del inversor

18. Margen de ruido

19. Inversores MOS de carga estática

20. Puertas de transmisión

21. Inversor triestado

22. Diagramas de barras: codificaciones para el proceso NMOS

23. Codificaciones para proceso CMOS

24. Codificación para BJT y MOSFET

25. Estilo de diseño NMOS y CMOS

26. Reglas de diseño

27. Vía

28. Reglas de diseño basadas en CMOS lambda

29. Proceso CMOS de órbita 2um

30. Estimación de resistencias.

31. Resistencia de lámina de transistores mos

32. Estimación de capacitancia

33. Retraso

34. Retrasos del inversor

35. Estimación formal de la demora

36. Conducción de gran carga capacitiva

37. Valor óptimo de f

38. Súper tampón

39. Conductores de Bicmos

40. Retraso de propagación

41. Otras fuentes de capacitancia

42. Elección de capas

43. Escalado de la mayoría de los dispositivos

44. Diseño físico básico una descripción general

45. Diseño físico básico una descripción general

46. ​​Esquema y diseño de puertas básicas-Puerta Inverter

47. Esquema y diseño de puertas básicas-NAND y NOR Gate

48. Puerta de transmisión

49. Diseño de celda estándar CMOS

50. Optimización del diseño para el rendimiento

51. Pautas generales de diseño

52. Lógica BICMOS

53. Lógica pseudonmos

54. Otras variaciones de pseudo nmos: lógica de drenaje múltiple y lógica agrupada

55. Otras variaciones de pseudo nmos- Lógica dinámica de cmos

56. Otras variaciones de pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)

57. Lógica dominó CMOS

Programas similares

Alternativas

Más de este editor